| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 9A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 400 毫欧 @ 5.4A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 25V | 功率 - 最大 | 3.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-263-3，D?Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | D2PAK | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRL630SPBF |
