| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 540 毫欧 @ 600mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 6.1nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 250pF @ 25V | 功率 - 最大 | 1.3W |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP | 包装 | 管件 |
| 其它名称 | *IRLD110PBF |
【International Rectifier】IRLH5030TR2PBF,MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
【International Rectifier】IRLH5030TRPBF,MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
【International Rectifier】IRLH5034TR2PBF,MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRLH5034TRPBF,MOSFET N-CH 40V 100A 8-PQFN
【International Rectifier】IRLH5036TR2PBF,MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
【International Rectifier】IRLH5036TRPBF,MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN
