描述 | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 1.2A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 250 毫欧 @ 930mA,4.5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 700mV @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 3.9nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 110pF @ 15V |
功率 - 最大 | 540mW | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商设备封装 | Micro3?/SOT-23 |
包装 | 剪切带 (CT) | 其它名称 | *IRLML2402TRIRLML2402IRLML2402-NDIRLML2402CT |
【International Rectifier】IRLML2402TRPBF,MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
【International Rectifier】IRLML2502GTRPBF,MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
【International Rectifier】IRLML2502TR,MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
【International Rectifier】IRLML2502TRPBF,MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23
【International Rectifier】IRLML2803GTRPBF,MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23-3
【International Rectifier】IRLML2803TR,MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT-23