描述 | MOSFET N-CH 30V 160A I-PAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 160A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 3.1 毫欧 @ 25A,10V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2.35V @ 100?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 59nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 4880pF @ 15V |
功率 - 最大 | 135W | 安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB | 供应商设备封装 | I-Pak |
包装 | 管件 |
【Fairchild Semiconductor】IRLW510ATM,MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】IRLW520ATM,MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level
【Fairchild Semiconductor】IRLW530ATM,MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level
【Fairchild Semiconductor】IRLW610ATM,MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】IRLW620ATM,MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level