| 描述 | MOSFET P-CH 55V 20A I-PAK | FET 类型 | P 通道 |
|---|---|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 105 毫欧 @ 3.4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | 47 nC @ 10 V | Vgs（最大值） | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 660 pF @ 50 V | FET 功能 | - |
| 功率耗散（最大值） | - | 工作温度 | - |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | I-PAK |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
【Fairchild Semiconductor】IRLW510ATM,MOSFET N-CH 100V 5.6A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】IRLW520ATM,MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level
【Fairchild Semiconductor】IRLW530ATM,MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level
【Fairchild Semiconductor】IRLW610ATM,MOSFET N-CH 200V 3.3A I2PAK
【Fairchild Semiconductor】IRLW620ATM,MOSFET 200V N-Channel a-FET Logic Level
【Fairchild Semiconductor】IRLW630ATM,MOSFET N-CH 200V 9A I2PAK
