描述 | MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized | 电阻汲极/源极 RDS(导通) | 0.028 Ohms |
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配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-252AA |
封装 | Reel | 下降时间 | 28 ns |
最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 55 W |
上升时间 | 49 ns | 工厂包装数量 | 2500 |
典型关闭延迟时间 | 27 ns |
【Fairchild Semiconductor】ISL9N318AD3ST,MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized
【Fairchild Semiconductor】ISL9N322AD3ST,MOSFET 30V 20a 0.022 Ohm Logic Level N-Ch
【Fairchild Semiconductor】ISL9N322AP3,MOSFET N-Ch PWM Optimized Logic Level
【Fairchild Semiconductor】ISL9N322AS3ST,MOSFET N-Ch MOSFET Logic Level
【Fairchild Semiconductor】ISL9N327AD3ST,MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized