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  • IXFA3N120

IXFA3N120

  • 制造商:IXYS(IXYS,IXYS)
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:HiPerFET?
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 100$4.9395
描述MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263FET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)1200V(1.2kV)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.5 欧姆 @ 500mA,10VId 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 1.5mA
闸电荷(Qg) @ Vgs39nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1050pF @ 25V
功率 - 最大200W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装TO-263(D2Pak)
包装管件

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