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KSB810YBU

描述Transistors Bipolar (BJT)直流集电极/Base Gain hfe Min120 at 100 mA at 1 V
配置Single最大工作频率160 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格Through Hole
封装 / 箱体TO-92Mini封装Bulk
最小工作温度- 55 C功率耗散350 mW

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