| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) NPN Epitaxial Transistor | 直流集电极/Base Gain hfe Min | 160 at 500 mA at 2 V |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作频率 | 120 MHz |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
| 封装 / 箱体 | TO-92L | 封装 | Ammo |
| 集电极连续电流 | 2 A | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 1 W |
【Fairchild Semiconductor】KSC2330ABU,TRANSISTOR NPN 300V 100MA TO-92L
【Fairchild Semiconductor】KSC2330ASHBU,TRANSISTOR NPN 300V 100MA TO-92L
【Fairchild Semiconductor】KSC2330OBU,TRANSISTOR NPN 300V 100MA TO-92L
【Fairchild Semiconductor】KSC2330ONBU,Transistors Bipolar (BJT)
【Fairchild Semiconductor】KSC2330OSHTA,Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
【Fairchild Semiconductor】KSC2330OTA,TRANSISTOR NPN 300V 100MA TO-92L
【Fairchild Semiconductor】KSC2330OTA_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Epitaxial Transistor
【Fairchild Semiconductor】KSC2330RBU,TRANSISTOR NPN 300V 100MA TO-92L