| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial | 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 100 | 配置 | Single |
| 最大工作频率 | 300 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | Through Hole | 封装 / 箱体 | TO-92 |
| 封装 | Ammo | 集电极连续电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 625 mW |
【Fairchild Semiconductor】KSP2222ATAM,Transistors Bipolar (BJT)
【Fairchild Semiconductor】KSP2222ATF,TRANSISTOR NPN 40V 600MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP24BU,TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP24TA,TRANSISTOR NPN 30V 100MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP24TA_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
【Fairchild Semiconductor】KSP25BU,TRANSISTOR NPN 40V 500MA TO-92
【Fairchild Semiconductor】KSP25BU_Q,Transistors Darlington NPN Si Transistor Epitaxial Darlington
【Fairchild Semiconductor】KSP25TA,TRANSISTOR NPN 40V 500MA TO-92