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KSP8598TA_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) PNP Si Transistor Epitaxial最大直流电集电极电流0.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min100配置Single
最大工作频率150 MHz最大工作温度+ 150 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-92
封装Ammo集电极连续电流- 0.5 A
功率耗散625 mW

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