描述 | TRANSISTOR NPN 60V 500MA SOT-23 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 500mA |
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 60V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 250mV @ 10mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大) | 100nA | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 50 @ 100mA,1V |
功率 - 最大 | 350mW | 频率 - 转换 | 100MHz |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SOT-23 | 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】KST05MTF_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
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【Fairchild Semiconductor】KST06MTF_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial
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