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KST5087MTF_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) PNP Si Transistor Epitaxial直流集电极/Base Gain hfe Min250 at 100 uA at 5 V
配置Single最大工作频率40 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-23封装Reel
集电极连续电流0.05 A功率耗散350 mW

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