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KST5088MTF_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN Si Transistor Epitaxial最大直流电集电极电流0.05 A
直流集电极/Base Gain hfe Min300配置Single
最大工作频率50 MHz最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-23
封装Reel集电极连续电流0.05 A
功率耗散350 mW

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