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MMBT4354_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose直流集电极/Base Gain hfe Min25 at 0.1 mA at 5 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-23
封装Reel最小工作温度- 55 C
功率耗散350 mW

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