| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) NPN RF Transistor | 直流集电极/Base Gain hfe Min | 30 at 3 mA at 1 V |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作频率 | 600 MHz |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | SOT-23 | 封装 | Reel |
| 集电极连续电流 | 0.09 A | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 225 mW |
【Fairchild Semiconductor】MMBT5771_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP/ 15V/ 200mA
【ON Semiconductor】MMBT589LT1,Transistors Bipolar (BJT) 2A 30V Switching PNP
【ON Semiconductor】MMBT589LT3,Transistors Bipolar (BJT) 2A 30V Switching PNP
【ON Semiconductor】MMBT589LT3G,Transistors Bipolar (BJT) 2A 30V Switching PNP
