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MMBTH10RG_Q

描述Transistors Bipolar (BJT) NPN RF Transistor直流集电极/Base Gain hfe Min50 at 1 mA at 6 V
配置Single最大工作频率450 MHz
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体SOT-23封装Reel
最小工作温度- 55 C功率耗散225 mW

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