| 描述 | TRANSISTOR PNP GEN PURP TO-226 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 1A |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 80V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 500mV @ 10mA，250mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 50 @ 250mA，1V |
| 功率 - 最大 | 1W | 频率 - 转换 | 50MHz |
| 安装类型 | 通孔 | 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 长体 |
| 供应商设备封装 | TO-226 | 包装 | 散装 |
【Fairchild Semiconductor】MPSW56_D26Z,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose
【Fairchild Semiconductor】MPSW56_Q,Transistors Bipolar (BJT) PNP Transistor General Purpose
【ON Semiconductor】MPSW56RLRAG,TRANS PNP GP BIPO 1W 80V TO-92
【ON Semiconductor】MPSW56RLRP,Transistors Bipolar (BJT) 500mA 80V 1W PNP
【ON Semiconductor】MPSW56RLRPG,TRANS PNP GP BIPO 1W 80V TO-92
