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  • MSJAC11N65B-TP

MSJAC11N65B-TP

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  • 价格:5,000 : ¥6.13116卷带(TR)
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
产品属性
描述MOSFET N-CH 650V 11A DFN5060FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)11A驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)380 毫欧 @ 3.2A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)21 nC @ 10 VVgs(最大值)±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)791 pF @ 25 VFET 功能-
功率耗散(最大值)89W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装DFN5060
封装/外壳8-PowerTDFN

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