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MTD6N20ET4

描述MOSFET N-CH 200V 6A DPAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)200V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C700 毫欧 @ 3A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs21nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds480pF @ 25V
功率 - 最大1.75W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装DPAK-3
包装Digi-Reel?其它名称MTD6N20ET4OSDKR

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