| 描述 | MOSFET P-Ch LL FET Enhancement Mode | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.041 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single | 最大工作温度 | + 175 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | TO-263 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 70 ns |
| 最小工作温度 | - 65 C | 功率耗散 | 60 W |
| 上升时间 | 27 ns | 典型关闭延迟时间 | 120 ns |
【Fairchild Semiconductor】NDB6030L,MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDB6030PL,MOSFET P-CH 30V 30A D2PAK
【Fairchild Semiconductor】NDB6060,MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】NDB6060L,MOSFET N-CH 60V 48A TO-263AB
【Fairchild Semiconductor】NDB6060L_Q,MOSFET N-Ch LL FET Enhancement Mode