| 描述 | MOSFET SO-6 P-CH LOGIC | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.18 Ohms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single Triple Drain Dual Source | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SSOT-6 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 26 ns |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 1.6 W |
| 上升时间 | 26 ns | 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
【Fairchild Semiconductor】NDC7001C,MOSFET N+P 60V 340MA SSOT6
【Fairchild Semiconductor】NDC7001C_Q,MOSFET Dual N/P Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDC7002N,MOSFET 2N-CH 50V 510MA SSOT6
【Fairchild Semiconductor】NDC7002N_Q,MOSFET SO-6 N-CH ENHANCE
【Fairchild Semiconductor】NDC7002N_SB9G007,MOSFET N-CH DUAL 50V 6-SSOT
【Fairchild Semiconductor】NDC7003P,MOSFET 2P-CH 60V 340MA SSOT6
