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  • NDD02N40-1G

NDD02N40-1G

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  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET N-CH 400V 1.7A IPAKFET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)400 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.7A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)5.5 欧姆 @ 220mA,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)5.5 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)121 pF @ 25 VFET 功能-
功率耗散(最大值)39W(Tc)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型通孔供应商器件封装I-Pak
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

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