| 描述 | MOSFET N-CH 600V IPAK | FET 特点 | 标准型 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 600V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 4.8 欧姆 @ 1A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4.5V @ 50?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 10.1nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 274pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 57W | 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA | 供应商设备封装 | I-Pak |
| 包装 | 管件 | 其它名称 | NDD02N60Z-1G-NDNDD02N60Z-1GOS |
安森美半导体mosfet产品分部副总裁兼总经理paul leonard说：“推出这些器件系列仅是安森美半导体进军高压功率mosfet市场的第一步。我们战略性地进入了高压开关市场，提供充沛的500 v到600 v负载开关方案选择，更好地服务我们客户的总体电源管理需求。未来我们将继续扩充高压功率mosfet产品阵容，为消费及工业客户提供针对性的方案。这些新器件的推出是安森美半导体不断加强其业界领先高能效电源方案供应商地位的又一实例。” 新推出的600 v mosfet器件包括： -ndd02n60z-1g，采用ipak封装，每10,000片批量的单价为0.22美元 -ndd02n60zt4g，采用dpak封装，每10,000片批量的单价为0.22美元 -ndd03n60z-1g，采用ipak封装，每10,000片批量的单价为0.23美元 -ndd03n60zt4g，采用dpak封装，每10,000片批量的单价为0.23美元 -ndd04n60z-1g，采用ipak封装，每10,000片批量的单价为0.27美元 -ndd04n60zt4g，采用dpak封装，每10,000片批量的单价为0 ...
