您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > ndd03n50z-1g
  • NDD03N50Z-1G

NDD03N50Z-1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 1$0.84
  • 25$0.6488
  • 100$0.5651
  • 250$0.49184
  • 500$0.4186
描述MOSFET N-CH 500V 2.6A IPAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)500V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C3.3 欧姆 @ 1.15A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4.5V @ 50?A
闸电荷(Qg) @ Vgs10nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds274pF @ 25V
功率 - 最大58W安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA供应商设备封装I-Pak
包装管件其它名称NDD03N50Z-1G-NDNDD03N50Z-1GOS

ndd03n50z-1g的相关型号: