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NDP4060_Q

描述MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode电阻汲极/源极 RDS(导通)0.1 Ohms
配置Single最大工作温度+ 175 C
安装风格Through Hole封装 / 箱体TO-220
封装Tube下降时间37 ns
最小工作温度- 65 C功率耗散50 W
上升时间70 ns典型关闭延迟时间18 ns

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