| 描述 | MOSFET N+P 20V 2.8A 8-SOIC | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3A，2.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 125 毫欧 @ 3A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 525pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 900mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NDS9943TR |
【Fairchild Semiconductor】NDS9945,MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS9945_L86Z,MOSFET DISC BY MFG 2/02
【Fairchild Semiconductor】NDS9947,MOSFET 2P-CH 20V 3.5A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS9948,MOSFET 2P-CH 60V 2.3A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS9948_Q,MOSFET Dual PCh PowerTrench
【Fairchild Semiconductor】NDS9952A,MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
【Fairchild Semiconductor】NDS9952A_Q,MOSFET SO-8 N&P-CH ENHANCE
