| 描述 | MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 4A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 100 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 250?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 250pF @ 30V | 功率 - 最大 | 1.1W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | SOT-223-3 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NDT3055TR |
仍继续以最先进的晶体管光刻技术提供各种领先的产品。 像我们这样能够为客户不断改进产品、同时又逐年降低价格的企业并不多。一般来说，如果你在大卖场购买廉价品牌的货品，你对商品的质量、功能、可靠性的期望值就会降低。倘若你低价买了一辆汽车，你就会有心理准备，它不会像高档品牌那么舒服，也不会那么安全可靠。但是，半导体企业的运作方式却不是这样。无论你花费多少来购买我们的产品，你都可以期待高可靠性、稳健坚固的部件。 年复一年，我们不断改进，尽力生产出故障率超低的部件。举个例子，飞兆的n –沟道fet ndt3055的fit （failure in time, 1g元件小时的故障数量） 额定值为3.65,也就是说工作3127年才会出现一次故障。 让我们仔细看看这意味着什么。我们当然无法创建大量的部件并进行长达3,127年的测试。当然我们很乐意这样做，只是这并不可行。这个fit 额定值是基于部件样品的加速寿命测试，再将结果插入公式法而推算出来的。 其基本概念是，利用高湿度与过压应力对样品器件进行老化试验，这样便无需等待几千年就可以估算出故障率。 如我上文所述，我们尽力为客户创建出稳健可靠的器件。客 ...
【Fairchild Semiconductor】NDT3055_J23Z,MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
【Fairchild Semiconductor】NDT3055L,MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT3055L_Q,MOSFET SOT-223 N-CH LOGIC
【Fairchild Semiconductor】NDT451AN,MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4
【Fairchild Semiconductor】NDT451AN_J23Z,MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223
【Fairchild Semiconductor】NDT451AN_Q,MOSFET N-Channel FET Enhancement Mode
