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  • NE425S01-T1B

NE425S01-T1B

  • 制造商:-
  • 产品种类:射频GaAs晶体管
  • 技术类型:HEMT
  • 频率:12 GHz
  • 增益:12 dB
产品属性
描述射频GaAs晶体管 Super Lo Noise HJFET噪声系数0.6 dB
正向跨导 gFS(最大值/最小值)60 mS漏源电压 VDS4 V
闸/源击穿电压- 3 V漏极连续电流90 mA
最大工作温度+ 125 C功率耗散165 mW
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体S0-1
封装Reel工厂包装数量4000

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