| 描述 | TRANS BR NPN/PNP DUAL 50V SOT563 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 50V | 电阻器 - 基极 (R1)（欧） | 10k |
| 电阻器 - 发射极 (R2)（欧） | 47k | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 80 @ 5mA，10V |
| Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 250mV @ 300?A，10mA | 电流 - 集电极截止（最大） | 500nA |
| 频率 - 转换 | - | 功率 - 最大 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SOT-563 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NSBC114YPDXV6T1GOSNSBC114YPDXV6T1GOS-NDNSBC114YPDXV6T1GOSTR |
产品型号:nsbc114ypdxv6t1g类型:npn/npn集电极-发射极电压(v):50集电极电流(max)(ma):100直流电流增益(min)(db):35r1(ω):10kr2(ω):47k芯片上标识:7d封装/温度(℃):sot-563/-55~150价格/1片(套):暂无 来源:零八我的爱 ...
【ON Semiconductor】NSBC114YPDXV6T5,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA Complementary
【ON Semiconductor】NSBC114YPDXV6T5G,TRANS BRT DUAL COMPL 50V SOT-563
【ON Semiconductor】NSBC115EDXV6T1,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V Dual NPN
【ON Semiconductor】NSBC115EDXV6T1G,TRANS BRT DUAL COMPL 50V SOT-563
【ON Semiconductor】NSBC115EDXV6T5,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V Dual NPN
【ON Semiconductor】NSBC115EDXV6T5G,Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA 50V Dual NPN
【ON Semiconductor】NSBC115TDP6T5G,TRANS ARR 2NPN W/RES 50V SOT963
