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NTB125N02RT4

描述MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)24V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C15.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.6 毫欧 @ 20A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs28nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds3440pF @ 20V
功率 - 最大1.98W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装剪切带 (CT)其它名称NTB125N02RT4OSCT

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