| 描述 | MOSFET 60V 45A N-Channel | 漏极连续电流 | 45 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.026 Ohms | 配置 | Single |
| 最大工作温度 | + 175 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | D2PAK | 封装 | Tube |
| 下降时间 | 106 ns | 正向跨导 gFS（最大值/最小值） | 16.6 S |
| 最小工作温度 | - 55 C | 功率耗散 | 125 W |
| 上升时间 | 101 ns | 工厂包装数量 | 50 |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
5a进行额定输出电流为3.5a的设计(外部需要提供负载切断和电池反向的额外保护)。假设读者已熟悉降压 smps的基本概念，因此在此只强调本设计更独特的特点。第一步是将期望的参数和电流值变换为由cs5165a调节的电压值。这可以由rsense1 完成。为了进一步提高效率，要用运算放大器放大rsense1 上的电压信号，并且保持电阻中的损耗为最小。确定所需负载电流的vref 设置点方程如下所示(其中a 是放大器电路的增益):vref=a iload rsense1从减小导通损耗和热量观点考虑选择一对ntb45n06 n-沟道功率mosfet。另外，上部mosfet m1选择了器件的逻辑级版本。这有助于当电荷泵峰值储备不足时，用较高的输入电压驱动上部mosfet。 为了驱动上部mosfet，用c1 作为电荷泵元件实现了一个电荷泵。c1 把电荷泵入由q1、d1、d2 & d4、r2 & r3 和 c3 & c4构成的分流稳压电路。当m2导通而且驱动开关节点 (上部mosfet m1的源极) 到地后，c1 通过d1充电到电池电压。然后，当m1驱动开关节点从电池电压上升时，c1上的电荷通过 ...
产品型号:ntb45n06源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):21最大漏极电流id(on)(a):45通道极性:n沟道封装/温度(℃):d2pak/-55~175描述:45a,60v逻辑电平的功率mosfet价格/1片(套):￥7.80 来源:xiangxueqin ...
