您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > ntb45n06t4g
  • NTB45N06T4G

NTB45N06T4G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 800$0.79411
  • 1600$0.72877
  • 2400$0.67851
  • 5600$0.65338
  • 20000$0.62825
描述MOSFET N-CH 60V 45A D2PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C45A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫欧 @ 22.5A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs46nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds1725pF @ 25V
功率 - 最大2.4W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装带卷 (TR)其它名称NTB45N06T4GOSNTB45N06T4GOS-NDNTB45N06T4GOSTR

“NTB45N06T4G”技术资料

  • NTB45N06T4G的技术参数

    产品型号:ntb45n06t4g源漏极间雪崩电压vbr(v):40源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):26最大漏极电流id(on)(a):45通道极性:n沟道封装/温度(℃):d2pak/-55 ~150描述:45 a, 60 v功率mosfet价格/1片(套):¥7.10 来源:xiangxueqin ...

ntb45n06t4g的相关型号: