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  • NTB52N10G

NTB52N10G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 100V 52A D2PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C52A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 26A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs135nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds3150pF @ 25V
功率 - 最大2W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装管件其它名称NTB52N10G-NDNTB52N10GOS

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