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  • NTB52N10T4

NTB52N10T4

描述MOSFET 100V 52A N-Channel漏极连续电流52 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.03 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体D2PAK封装Reel
下降时间100 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)31 S
最小工作温度- 55 C功率耗散178 W
上升时间95 ns工厂包装数量800
典型关闭延迟时间74 ns

“NTB52N10T4”技术资料

  • 热插拔电路的过热保护新方法

    集成热插拔电路的一个主要问题就是在短路和过载情况下的过热保护问题。当发生短路时,该热插拔电路必须承受不能超过功率fet的节温。采用断路器的做法这一点很难达到,因为功率fet的结温是估计而不是测量得到的。图1所示的电路中,断路器结合了限流的功能。它采用线性工作模式对fet进行偏置,使电流在一定的周期或时间内保持不变。也就是说,断路器只有在500μs限流被启动后才动作。每当感应电阻的压降大于500mv时,限流就被启动。因此,功率fet的电流被限制在500mv/rsense。如果我们采用一个32mω的ntb52n10t4、100v的fet及一个5mω的感应电阻,在短路时fet的电流将被限制在10a,超过500μs断路器就会关闭fet。图2显示-48v应用中的短路波形。在该功率fet初始温度为85℃的情况下,如果采用图2中的电流和电压,该fet在短路时的结温可以用公式1来计算: 这里tj为结温,tc为外壳温度,pd为fet功率消耗,rθjc(t) 图2:断路器短路波形。为瞬态热阻,结面到外壳间有500μs的脉冲。 计算出的结温非常接近功率fet(ntb52n10t4)的额定温度上限tj(150℃),如果 ...

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