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  • NTB52N10T4G

NTB52N10T4G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 100V 52A D2PAKFET 特点标准型
漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C52A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C30 毫欧 @ 26A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs135nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds3150pF @ 25V
功率 - 最大2W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装带卷 (TR)其它名称NTB52N10T4GOSNTB52N10T4GOS-NDNTB52N10T4GOSTR

“NTB52N10T4G”技术资料

  • NTB52N10T4G的技术参数

    产品型号:ntb52n10t4g源漏极间雪崩电压vbr(v):100源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):30最大漏极电流id(on)(a):52通道极性:n沟道封装/温度(℃):d2pak/-55 ~150描述:52 a, 100 v功率mosfet价格/1片(套):¥15.70 来源:xiangxueqin ...

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