描述 | MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK | FET 特点 | 逻辑电平门 |
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漏极至源极电压(Vdss) | 60V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 18.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C | 140 毫欧 @ 8.5A,5V | Id 时的 Vgs(th)(最大) | 2V @ 250?A |
闸电荷(Qg) @ Vgs | 22nC @ 5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1190pF @ 25V |
功率 - 最大 | 88W | 安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB | 供应商设备封装 | D2PAK |
包装 | 管件 |
产品型号:ntb5605pg源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):140最大漏极电流id(on)(a):18.500通道极性:p沟道封装/温度(℃):d2pak/-55 ~150描述:- 60 v, - 18.5 a,功率mosfet价格/1片(套):¥6.00 来源:xiangxueqin ...