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  • NTB5605PG

NTB5605PG

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C140 毫欧 @ 8.5A,5VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds1190pF @ 25V
功率 - 最大88W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装管件

“NTB5605PG”技术资料

  • NTB5605PG的技术参数

    产品型号:ntb5605pg源漏极间雪崩电压vbr(v):60源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):140最大漏极电流id(on)(a):18.500通道极性:p沟道封装/温度(℃):d2pak/-55 ~150描述:- 60 v, - 18.5 a,功率mosfet价格/1片(套):¥6.00 来源:xiangxueqin ...

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