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NTB5605P

描述MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C140 毫欧 @ 8.5A,5VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs22nC @ 5V输入电容 (Ciss) @ Vds1190pF @ 25V
功率 - 最大88W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D?Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商设备封装D2PAK
包装管件

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