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  • NTB52N10

NTB52N10

描述MOSFET 100V 52A N-Channel漏极连续电流52 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.03 Ohms配置Single
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体D2PAK封装Tube
下降时间100 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)31 S
最小工作温度- 55 C功率耗散178 W
上升时间95 ns工厂包装数量50
典型关闭延迟时间74 ns

“NTB52N10”技术资料

  • NTB52N10的技术参数

    产品型号:ntb52n10源漏极间雪崩电压vbr(v):100源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):23最大漏极电流id(on)(a):52通道极性:n沟道封装/温度(℃):d2pak/-55~175描述:52a,100v逻辑电平的功率mosfet价格/1片(套):¥17.20 来源:xiangxueqin ...

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