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  • NTD110N02RT4G

NTD110N02RT4G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 2500$0.462
  • 5000$0.4389
  • 12500$0.4224
  • 25000$0.4092
  • 62500$0.396
描述MOSFET N-CH 24V 12.5A DPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)24V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C12.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.6 毫欧 @ 20A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs28nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds3440pF @ 20V
功率 - 最大1.5W安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装D-Pak
包装带卷 (TR)其它名称NTD110N02RT4GOSNTD110N02RT4GOS-NDNTD110N02RT4GOSTR

“NTD110N02RT4G”技术资料

  • NTD110N02RT4G的技术参数

    产品型号:ntd110n02rt4g源漏极间雪崩电压vbr(v):24源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):4.600最大漏极电流id(on)(a):110通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 4/-55 ~150描述:24 v, 110 a功率mosfet价格/1片(套):¥6.00 来源:xiangxueqin ...

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