您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > ntd40n03r-1g
  • NTD40N03R-1G

NTD40N03R-1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C16.5 毫欧 @ 10A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs5.78nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds584pF @ 20V
功率 - 最大1.5W安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA供应商设备封装I-Pak
包装管件其它名称NTD40N03R-1GOS

“NTD40N03R-1G”技术资料

  • NTD40N03R-1G的技术参数

    产品型号:ntd40n03r-1g源漏极间雪崩电压vbr(v):25源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):16.500最大漏极电流id(on)(a):45通道极性:n沟道封装/温度(℃):dpak 3/-55 ~150描述:45a, 25v功率mosfet价格/1片(套):¥3.00 来源:xiangxueqin ...

ntd40n03r-1g的相关型号: