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  • NTD60N02R-1G

NTD60N02R-1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAKFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10.5 毫欧 @ 20A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds1330pF @ 20V
功率 - 最大1.25W安装类型通孔
封装/外壳TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA供应商设备封装I-Pak
包装管件

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