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  • NTGD3133PT1G

NTGD3133PT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH DUAL 20V 21.5A 6TSOPFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C145 毫欧 @ 2.2A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.4V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs5.5nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds400pF @ 10V
功率 - 最大560mW安装类型表面贴装
封装/外壳SC-74,SOT-457供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)

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