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  • NTGD4169FT1G

NTGD4169FT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET N-CH 30V 2.6A 6-TSOPFET 特点二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 2.6A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs5.5nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds295pF @ 15V
功率 - 最大900mW安装类型表面贴装
封装/外壳SC-74,SOT-457供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)

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