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  • NTGD4161PT1G

NTGD4161PT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
描述MOSFET P-CH DUAL 30V 2.3A 6-TSOPFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 2.1A,10VId 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs7.1nC @ 10V输入电容 (Ciss) @ Vds281pF @ 15V
功率 - 最大600mW安装类型表面贴装
封装/外壳SC-74,SOT-457供应商设备封装6-TSOP
包装带卷 (TR)

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