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  • NTHD4102PT1G

NTHD4102PT1G

  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 3000$0.15345
  • 6000$0.14355
  • 15000$0.13365
  • 30000$0.12672
  • 75000$0.12375
描述MOSFET PWR P-CH DUAL20V CHIPFETFET 特点逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.9A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 2.9A,4.5VId 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250?A
闸电荷(Qg) @ Vgs8.6nC @ 4.5V输入电容 (Ciss) @ Vds750pF @ 16V
功率 - 最大1.1W安装类型表面贴装
封装/外壳8-SMD,扁平引线供应商设备封装ChipFET?
包装带卷 (TR)其它名称NTHD4102PT1GOSNTHD4102PT1GOS-NDNTHD4102PT1GOSTR

“NTHD4102PT1G”技术资料

  • NTHD4102PT1G的技术参数

    产品型号:nthd4102pt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):1源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):64@-4.5v最大漏极电流id(on)(a):1通道极性:p/p沟道封装/温度(℃):chipfet/-55~150描述:-4.1a, -20v双功率mosfet价格/1片(套):¥2.90 来源:xiangxueqin ...

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