| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A CHIPFET | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 85 毫欧 @ 2.9A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 7nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 140pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 640mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 | 供应商设备封装 | ChipFET? |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTHD4502NT1GOSTR |
产品型号:nthd4502nt1g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):85最大漏极电流id(on)(a):3.900通道极性:n封装/温度(℃):chipfet/-55~150描述:30v,3.9a,n沟道双mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin ...
