| 描述 | MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET | FET 特点 | 二极管（隔离式） |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 20V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 2.9A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 80 毫欧 @ 2.9A，4.5V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 4nC @ 4.5V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 300pF @ 10V |
| 功率 - 最大 | 910mW | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 | 供应商设备封装 | ChipFET? |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | NTHD4N02FT1OS |
产品型号:nthd4n02ft1源漏极间雪崩电压vbr(v):20源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):60@-4.5v最大漏极电流id(on)(a):2.700通道极性:n沟道封装/温度(℃):chipfet/-55~125描述:-2.7a,-20v p沟道功率mosfet和肖特基二极管价格/1片(套):￥6.40 来源:xiangxueqin ...
