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  • NTHD4P02FT1

NTHD4P02FT1

描述MOSFET -20V -3A P-Channel漏极连续电流- 3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.2 Ohms配置Single Dual Drain
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体ChipFET-8封装Reel
下降时间13 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)5 S
最小工作温度- 55 C功率耗散1.1 W
上升时间13 ns工厂包装数量3000
典型关闭延迟时间33 ns

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