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  • NTHD5903T1

NTHD5903T1

描述MOSFET -20V -3A Dual漏极连续电流- 3 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.215 Ohms配置Dual Dual Drain
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体ChipFET-8封装Reel
下降时间35 ns正向跨导 gFS(最大值/最小值)5 S
最小工作温度- 55 C功率耗散1.1 W
上升时间35 ns工厂包装数量3000
典型关闭延迟时间25 ns

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